接(jie)枝率測定(ding)原(yuan)理(li)-低場核磁技術(shu)

納(na)米顆(ke)粒表面改(gai)性之接(jie)枝率測定(ding)原(yuan)理(li)

納米(mi)級(ji)二氧(yang)化(hua)矽作為(wei)典型(xing)的(de)納米(mi)顆(ke)粒材料(liao)具(ju)有分散(san)性好，比(bi)表面積大，親(qin)水性、力學補強性、增(zeng)稠性及防粘結(jie)性等特(te)性，廣(guang)泛應(ying)用(yong)於(yu)電(dian)子封裝材料(liao)、高分(fen)子復合材料(liao)、塑料(liao)、塗料(liao)、橡膠、顏(yan)料(liao)、 陶(tao)瓷、膠黏(nian)劑、玻璃(li)鋼、藥(yao)物載(zai)體、化(hua)妝(zhuang)品及抗菌材料(liao)、油墨等領(ling)域(yu)；

評(ping)價SiO2納米(mi)材料(liao)表面改(gai)性的(de)接(jie)枝率測定(ding)原(yuan)理(li)

二氧(yang)化(hua)矽納米(mi)顆粒表面存在(zai)大(da)量(liang)的(de)不同狀態的(de)羥(qiang)基不飽(bao)和(he)殘鍵(jian)，親水疏油，易(yi)於(yu)團(tuan)聚(ju)，必(bi)須(xu)要(yao)對其進(jin)行功能化(hua)改(gai)性，以提高(gao)性能及應(ying)用(yong)範圍(wei)。

二(er)氧(yang)化(hua)矽表面改(gai)性的(de)目(mu)的(de)主要(yao)有以下(xia)3個(ge)方(fang)面：

壹是(shi)改(gai)善或(huo)提(ti)高(gao)二氧(yang)化(hua)矽納米(mi)顆粒在(zai)介(jie)質(zhi)中(zhong)的(de)分散(san)性及相(xiang)容性。因為(wei)表(biao)面修飾後(hou)的(de)納米(mi)顆(ke)粒可以減(jian)弱表(biao)面活性羥(qiang)基的(de)帶(dai)電(dian)效(xiao)應(ying)和(he)表(biao)面的(de)親水性，所以可以有效防止(zhi)顆粒團(tuan)聚(ju)；

二(er)是(shi)通(tong)過表面修飾，在(zai)二(er)氧(yang)化(hua)矽表面接(jie)枝活性基團(tuan)，提高(gao)或(huo)者控制(zhi)其表面活性，從而(er)為(wei)納米粒子的(de)進(jin)壹(yi)步接(jie)枝或者功能化(hua)提(ti)供了可(ke)能性；

三(san)是拓寬二(er)氧(yang)化(hua)矽納米(mi)顆粒的(de)應用(yong)範圍(wei)，表(biao)面修飾後(hou)的(de)納米(mi)顆(ke)粒可以產(chan)生新(xin)的(de)功能，如(ru)藥物運輸(shu)和(he)釋(shi)放(fang)，刺激(ji)響(xiang)應(ying)性等。

低場核磁技術(shu)接(jie)枝率測定(ding)原(yuan)理(li)：

LU等科(ke)學家采用(yong)多(duo)洛倫茲分(fen)裂算(suan)法(fa)將(jiang)遊離PEG的(de)NMR信號(hao)與(yu)接(jie)枝的(de)NMR信號(hao)區(qu)分(fen)開(kai)，從(cong)而(er)可以使用(yong)1H-NMR對接(jie)枝過程進(jin)行原(yuan)位監(jian)測。低場核磁技術(shu)接(jie)枝率測定(ding)方法(fa)的(de)優(you)點是(shi)不受(shou)接(jie)枝基團(tuan)末端官(guan)能團(tuan)類(lei)型(xing)、表面化(hua)學性質、納(na)米(mi)粒子或組成(cheng)的(de)限(xian)制(zhi)，它(ta)還為相(xiang)關科(ke)學研(yan)究提供(gong)表征(zheng)納(na)米顆(ke)粒上基團(tuan)接(jie)枝密度(du)的(de)關鍵(jian)和(he)標準(zhun)指(zhi)南。

針(zhen)對固(gu)體顆(ke)粒樣品，也可以使用(yong)固(gu)體核(he)磁技術(shu)通(tong)過化(hua)學位移(yi)氫(qing)譜(pu)對接(jie)枝率進(jin)行定(ding)量(liang)表征(zheng)，不過大家都(dou)知道(dao)固(gu)體核(he)磁相對成(cheng)本(ben)較(jiao)高(gao)，對使用(yong)者要(yao)求較(jiao)高(gao)。

低場核磁技術(shu)接(jie)枝率測定(ding)方法(fa)的(de)優(you)勢：

低場核磁技術(shu)因(yin)為其設備成(cheng)本(ben)較(jiao)低，使用(yong)簡單(dan)，適(shi)用(yong)於(yu)宏(hong)觀樣品等特性，非常適(shi)用(yong)於(yu)快(kuai)速(su)測定(ding)顆粒表面接(jie)枝率測定(ding)。它(ta)通(tong)過MSE系列序列實(shi)現死時間內(nei)的(de)1H核磁(ci)信(xin)號(hao)采集，zui大(da)程度(du)的(de)采集(ji)到(dao)了接(jie)枝在(zai)顆(ke)粒表面的(de)基團(tuan)中(zhong)H原(yuan)子核的(de)信號(hao)，利(li)用(yong)外(wai)標法(fa)進(jin)行定(ding)量(liang)分析。

低場核磁