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        1. 產品列(lie)表PRODUCTS LIST

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          低(di)場核磁(ci)弛豫技術(shu)用於(yu)CMP拋光(guang)液(ye)的(de)原(yuan)位分散性(xing)檢測
          點(dian)擊(ji)次數(shu):1916 更新(xin)時間(jian):2022-04-01

          低(di)場核磁(ci)弛豫技術(shu)用於(yu)CMP拋光(guang)液(ye)的(de)原(yuan)位分散性(xing)檢測


          CMP 全稱(cheng)為 Chemical Mechanical Polishing,即(ji)化(hua)學(xue)機(ji)械拋光。該技術(shu)是(shi)半(ban)導體(ti)晶(jing)圓制(zhi)造(zao)的(de)bi備流程(cheng)之壹,對高(gao)精度(du)、高(gao)性能晶(jing)圓制(zhi)造(zao)至關重(zhong)要(yao)。拋(pao)光(guang)液(ye)的(de)主(zhu)要(yao)成(cheng)分包括(kuo)研(yan)磨(mo)顆(ke)粒(li)、PH值(zhi)調節(jie)劑(ji)、氧化劑(ji)、分散劑(ji)等。從成(cheng)分中我(wo)們就(jiu)大(da)概知(zhi)道(dao)了拋光液(ye)是(shi)壹種(zhong)對分散要(yao)求(qiu)很(hen)高(gao)的(de)納(na)米(mi)材(cai)料懸(xuan)浮(fu)液(ye),所以(yi)研磨(mo)過(guo)程(cheng)中(zhong)對(dui)顆(ke)粒(li)的(de)尺(chi)寸變化以及顆(ke)粒(li)在(zai)懸(xuan)浮(fu)液(ye)中的(de)分散性(xing)都(dou)有(you)著(zhe)極其嚴(yan)苛(ke)的(de)要(yao)求(qiu)。


          低(di)場核磁(ci)弛豫技術(shu)用於(yu)CMP拋光(guang)液(ye)的(de)原(yuan)位分散性(xing)檢測


          低(di)場核磁(ci)弛豫技術(shu)用於(yu)懸(xuan)浮(fu)液(ye)中顆(ke)粒(li)尺(chi)寸變化和顆(ke)粒(li)分散性(xing)檢測


          低(di)場核磁(ci)弛豫技術(shu)以(yi)水分子(zi)(溶劑(ji))為探(tan)針,可(ke)以(yi)實時檢測懸(xuan)浮(fu)液(ye)體(ti)系(xi)中水分子(zi)的(de)狀態(tai)變化(hua)。

          低(di)場核磁(ci)弛豫技術(shu)可(ke)以(yi)區分出納(na)米(mi)顆(ke)粒(li)與溶劑(ji)的(de)固液(ye)界面間那(na)壹(yi)層(ceng)薄薄的(de)表面溶劑(ji)分子(zi),當顆(ke)粒(li)尺(chi)寸或顆(ke)粒(li)分散性(xing)發生(sheng)變化時(shi),顆(ke)粒(li)表(biao)面的(de)溶劑(ji)分子(zi)也會(hui)發生(sheng)相應的(de)變化(hua)。

          低(di)場核磁(ci)弛豫技術(shu)可(ke)以(yi)靈敏的(de)檢測到這這種變(bian)化(hua)狀態(tai)和變(bian)化過(guo)程(cheng),從而(er)可(ke)以(yi)快速(su)地評(ping)價(jia)例(li)如(ru)拋光液(ye)以及相關懸(xuan)浮(fu)液(ye)樣品的(de)分散性(xing)和懸(xuan)浮(fu)液(ye)中顆(ke)粒(li)尺(chi)寸的(de)變化(hua)過(guo)程(cheng)。


          低(di)場核磁(ci)弛豫技術(shu)用於(yu)CMP拋光(guang)液(ye)的(de)原(yuan)位分散性(xing)檢測


          低(di)場核磁(ci)弛豫技術(shu)與傳統氮(dan)氣(qi)吸附(fu)法有哪些差異?


          在(zai)低(di)場核磁(ci)弛豫技術(shu)還(hai)未應用於(yu)拋光(guang)液(ye)領(ling)域(yu)之前,壹般常用的(de)方法(fa)是(shi)用氮(dan)氣(qi)吸附(fu)法來表征顆(ke)粒(li)的(de)比表(biao)面積(ji)。但是(shi)在(zai)實際的(de)研發(fa)與生產過(guo)程(cheng)中(zhong),研(yan)究(jiu)人(ren)員(yuan)發現就(jiu)算氮(dan)氣(qi)吸附(fu)法表征的(de)研磨(mo)顆(ke)粒(li)的(de)比表(biao)面積(ji)非常穩定(ding),拋光(guang)過(guo)程(cheng)中(zhong)還(hai)是(shi)會(hui)發生(sheng)拋光(guang)液(ye)性能(neng)不(bu)穩(wen)定(ding)的(de)情況(kuang)。

          這(zhe)種(zhong)情(qing)況(kuang)很(hen)可(ke)能(neng)是(shi)研磨(mo)顆(ke)粒(li)在(zai)溶劑(ji)體(ti)系(xi)中發生了團聚,進而發生(sheng)了尺(chi)寸上的(de)變化(hua)而導致最終(zhong)研(yan)磨(mo)性能的(de)問(wen)題。低(di)場核磁(ci)弛豫技術(shu)可(ke)直(zhi)接(jie)用於(yu)研磨(mo)液(ye)原(yuan)液(ye)的(de)分散性(xing)檢測,可(ke)以(yi)快速(su)評(ping)價(jia)懸(xuan)浮(fu)液(ye)體(ti)系(xi)的(de)分散性(xing)而被廣泛應用於(yu)CMP拋光(guang)液(ye)的(de)研發(fa)與生產控(kong)制(zhi)中。

          低(di)場核磁(ci)弛豫技術(shu)用於(yu)CMP拋光(guang)液(ye)的(de)原(yuan)位分散性(xing)檢測


          低(di)場核磁(ci)弛豫技術(shu)還(hai)能用於(yu)哪些(xie)領(ling)域(yu)?


          低(di)場核磁(ci)弛豫技術(shu)除(chu)了用於(yu)半(ban)導體(ti)CMP拋(pao)光液(ye),還(hai)可(ke)以(yi)用於(yu)國(guo)家(jia)正大(da)力(li)扶(fu)持的(de)新(xin)能源電(dian)池(chi)漿(jiang)料,光(guang)伏(fu)產業(ye)的(de)導電(dian)銀漿(jiang),石墨(mo)烯(xi)漿(jiang)料,電(dian)子(zi)漿(jiang)料等新(xin)材(cai)料領(ling)域(yu)。這(zhe)些方向都(dou)非常適(shi)合采(cai)用低(di)場核磁(ci)弛豫技術(shu)來(lai)研(yan)究其原(yuan)液(ye)的(de)分散性(xing)、穩定(ding)性。


          低(di)場核磁(ci)弛豫分析(xi)儀(yi):

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