產(chan)品(pin)列(lie)表PRODUCTS LIST
在(zai)電(dian)池、電(dian)子漿料等工(gong)業(ye)領(ling)域(yu),多壁(bi)碳(tan)納米管導(dao)電(dian)劑(ji)的分(fen)散性(xing)是(shi)決定產品(pin)性(xing)能(neng)的 “命(ming)脈(mai)"。分(fen)散均勻(yun)的碳(tan)納米管能構建(jian)高效導(dao)電(dian)網絡,提升材料(liao)導(dao)電(dian)性(xing)與穩定性(xing);而(er)分(fen)散不良(liang)則會(hui)導(dao)致(zhi)局(ju)部團(tuan)聚,引發(fa)性(xing)能(neng)衰(shuai)減。然而(er),傳統檢測手段(duan)難以(yi)精準評估(gu)分(fen)散性(xing),低場核(he)磁技術(shu)憑借(jie)獨-特(te)優(you)勢,成(cheng)為行業檢測新手(shou)段 。
傳統檢測手段(duan)的 “致(zhi)命短板"
目(mu)前(qian)主(zhu)流(liu)的多(duo)壁(bi)碳納米管分(fen)散性(xing)檢(jian)測方(fang)法,均(jun)存在(zai)難以(yi)規(gui)避的局(ju)限(xian)性(xing),無(wu)法(fa)滿(man)足工(gong)業(ye)生(sheng)產(chan)對(dui)精準性(xing)、高(gao)效性(xing)的需(xu)求(qiu)。
激光粒(li)度儀:受(shou)粘(zhan)度制(zhi)約(yue),難現 “真實(shi)狀(zhuang)態"
激光粒(li)度儀通過(guo)顆(ke)粒(li)對光的散射特(te)性(xing)分(fen)析粒(li)度分(fen)布(bu),但(dan)其(qi)結果嚴重(zhong)依賴樣品(pin)粘(zhan)度。當導(dao)電(dian)漿料(liao)粘(zhan)度較(jiao)高(gao)時,顆(ke)粒(li)布(bu)朗(lang)運動(dong)受(shou)阻,散射信(xin)號(hao)失(shi)真,無(wu)法反映真實(shi)分(fen)散狀(zhuang)態。更關(guan)鍵的是(shi),該(gai)方(fang)法需(xu)離(li)線(xian)取樣(yang)檢測,無法(fa)原(yuan)位分(fen)析生(sheng)產(chan)過(guo)程中的漿(jiang)料(liao)狀(zhuang)態,易因樣(yang)品(pin)轉(zhuan)移、預處(chu)理破壞(huai)原(yuan)始分(fen)散結構(gou),導(dao)致(zhi)檢測結果 “失(shi)真"。
粘(zhan)度法(fa):間(jian)接推(tui)斷(duan),準確度堪(kan)憂(you)
粘(zhan)度法(fa)通過(guo)測量漿(jiang)料(liao)粘(zhan)度間(jian)接判斷(duan)分(fen)散性(xing),認為分(fen)散越(yue)好(hao)粘(zhan)度越(yue)高(gao)。但(dan)實(shi)際(ji)中(zhong),粘(zhan)度受(shou)溫度、固含量、添(tian)加(jia)劑(ji)等多(duo)重(zhong)因素影響(xiang),僅(jin)靠粘(zhan)度變化無(wu)法精準關(guan)聯碳(tan)納米管的分(fen)散狀(zhuang)態。例(li)如(ru),相(xiang)同(tong)分(fen)散度下,不(bu)同(tong)批次(ci)漿(jiang)料(liao)的粘(zhan)度可(ke)能(neng)因溫度波(bo)動(dong)出現顯著差異,導(dao)致(zhi)誤判,屬於(yu) “間接且粗(cu)糙" 的檢(jian)測方(fang)式。
SEM/TEM:視(shi)野(ye)局(ju)限(xian),難窺(kui) “全貌(mao)"
掃描電(dian)鏡(jing)(SEM)和透(tou)射(she)電(dian)鏡(jing)(TEM)通過(guo)觀(guan)察(cha)微(wei)觀形(xing)貌(mao)判斷(duan)分(fen)散性(xing),但(dan)二者視野(ye)極小(通常僅數(shu)微米至(zhi)數(shu)十微米),而(er)碳納米管團(tuan)聚可能呈 “局(ju)部分(fen)布(bu)"。若(ruo)取樣(yang)區(qu)域(yu)恰好(hao)避(bi)開(kai)團(tuan)聚體,易得出(chu) “分(fen)散良(liang)好" 的錯(cuo)誤結論,代表性(xing)嚴重(zhong)不足,難(nan)以(yi)反映整體漿(jiang)料(liao)的分(fen)散水平(ping)。
低場核(he)磁技術(shu):以(yi) T2 信號(hao) “解(jie)碼" 分(fen)散性(xing)
低場核(he)磁技術(shu)的出(chu)現,徹(che)-底(di)打(da)破了(le)傳統檢測的局(ju)限(xian)。其(qi)基(ji)於氫(qing)核(he)(¹H)的核(he)磁共振現象,通過(guo)分(fen)析漿(jiang)料(liao)中(zhong)氫(qing)質(zhi)子的弛(chi)豫行為,直(zhi)接量化多(duo)壁碳納米管的分(fen)散狀(zhuang)態,核(he)心在(zai)於T2 弛(chi)豫時間(jian)與分(fen)散性(xing)的強(qiang)關(guan)聯性(xing)。
多(duo)壁(bi)碳(tan)納米管表面(mian)具(ju)有大量活(huo)性(xing)位(wei)點(dian),會(hui)吸(xi)附(fu)漿(jiang)料(liao)中(zhong)的水(shui)分(fen)子或(huo)有機介質(zhi)(含氫(qing)質(zhi)子)。當碳(tan)納米管分(fen)散均勻(yun)時,比(bi)表(biao)面(mian)積(ji)大,吸(xi)附(fu)的氫(qing)質(zhi)子被 “牢牢束縛(fu)" 在(zai)表面(mian),運(yun)動(dong)受(shou)限(xian);而(er)當分(fen)散不良(liang)、出現團(tuan)聚時,比(bi)表(biao)面(mian)積(ji)小,更多(duo)氫(qing)質(zhi)子處於 “自由(you)狀(zhuang)態",可(ke)自由(you)運動(dong)。
低場核(he)磁設(she)備(bei)通過(guo)施(shi)加(jia)低頻(pin)磁場,激發(fa)氫(qing)質(zhi)子產生共振信號(hao),再檢測其(qi)弛(chi)豫衰(shuai)減過程(T2 弛(chi)豫時間(jian))。這(zhe)壹信(xin)號(hao)直(zhi)接反映氫(qing)質(zhi)子的運(yun)動(dong)自由(you)度,與碳納米管的分(fen)散性(xing)形(xing)成(cheng)精準關(guan)聯:
T2 越(yue)長(chang):說明(ming)漿(jiang)料中(zhong) “未(wei)束縛(fu)的自(zi)由(you)氫(qing)質(zhi)子" 占比(bi)高,碳(tan)納米管團(tuan)聚嚴重(zhong),比表面(mian)積(ji)小,分(fen)散性(xing)差(cha);
T2 越(yue)短:表明(ming) “被(bei)碳納米管表面(mian)束縛(fu)的氫(qing)質(zhi)子" 更多(duo),碳納米管分(fen)散均勻(yun),比(bi)表(biao)面(mian)積(ji)大,分(fen)散性(xing)好(hao)。
相(xiang)比(bi)傳統方(fang)法,低場核(he)磁技術(shu)以(yi) “直(zhi)接、量化、原(yuan)位" 的優(you)勢,為多壁(bi)碳(tan)納米管導(dao)電(dian)劑(ji)分(fen)散性(xing)檢(jian)測提供(gong)了(le)標(biao)準化解(jie)決方(fang)案,推(tui)動(dong)行業從 “經(jing)驗判斷(duan)" 邁向(xiang) “數(shu)據(ju)驅動(dong)" 的精準生產時代(dai)。
應(ying)用(yong)案(an)例(li):
