cmp研(yan)磨(mo)液(ye)廠家使用(yong)低場(chang)核(he)磁技術(shu)研(yan)究(jiu)CMP拋(pao)光(guang)液(ye)的原位(wei)分(fen)散性

CMP 全(quan)稱(cheng)為(wei) Chemical Mechanical Polishing，即(ji)化(hua)學機(ji)械拋(pao)光(guang)。該技術(shu)是半(ban)導體(ti)晶(jing)圓制造的比(bi)備(bei)流(liu)程(cheng)之壹(yi)，對(dui)高精(jing)度、高(gao)性(xing)能晶(jing)圓制造至(zhi)關(guan)重(zhong)要(yao)。拋(pao)光(guang)液(ye)的主要成(cheng)分(fen)包括研(yan)磨(mo)顆粒、PH值調(tiao)節劑、氧(yang)化(hua)劑、分(fen)散劑等(deng)。從成(cheng)分(fen)中(zhong)我們(men)就大(da)概知(zhi)道了(le)拋光(guang)液(ye)是壹種對(dui)分(fen)散要求(qiu)很(hen)高(gao)的納米(mi)材(cai)料懸(xuan)浮(fu)液(ye)，所以(yi)研(yan)磨(mo)過(guo)程中(zhong)對顆粒的尺寸(cun)變化(hua)以(yi)及(ji)顆(ke)粒在懸(xuan)浮(fu)液(ye)中的分(fen)散性都有著極其嚴(yan)苛(ke)的要求(qiu)。

低場(chang)核(he)磁弛豫技術(shu)用於(yu)懸(xuan)浮(fu)液(ye)中顆(ke)粒尺寸(cun)變化(hua)和顆(ke)粒分(fen)散性檢測

低(di)場(chang)核(he)磁弛豫技術(shu)以(yi)水分(fen)子(zi)（溶劑）為(wei)探針(zhen)，可以(yi)實(shi)時檢測懸(xuan)浮(fu)液(ye)體系中(zhong)水分(fen)子(zi)的狀態(tai)變化(hua)。

低場(chang)核(he)磁弛豫技術(shu)可以(yi)區分(fen)出納米(mi)顆粒與(yu)溶(rong)劑的固液(ye)界(jie)面間(jian)那壹層(ceng)薄(bo)薄(bo)的表(biao)面溶劑分(fen)子(zi)，當(dang)顆(ke)粒尺寸(cun)或顆粒分(fen)散性發生(sheng)變化(hua)時，顆(ke)粒表(biao)面的溶劑分(fen)子(zi)也會發生(sheng)相應(ying)的變化(hua)。低場(chang)核(he)磁弛豫技術(shu)可以(yi)靈(ling)敏(min)的檢測到(dao)這(zhe)這(zhe)種變(bian)化(hua)狀態(tai)和變(bian)化(hua)過(guo)程，從(cong)而可以(yi)快速地評價(jia)例如拋光(guang)液(ye)以(yi)及(ji)相(xiang)關(guan)懸(xuan)浮(fu)液(ye)樣品的分(fen)散性和懸(xuan)浮(fu)液(ye)中顆(ke)粒尺寸(cun)的變化(hua)過(guo)程。

低場(chang)核(he)磁弛豫技術(shu)與(yu)傳統(tong)氮(dan)氣(qi)吸(xi)附(fu)法(fa)有哪(na)些(xie)差異(yi)？

在低(di)場核(he)磁弛豫技術(shu)還(hai)未應用於(yu)拋光(guang)液(ye)領域(yu)之前(qian)，蕞常(chang)用的方(fang)法(fa)是用氮氣(qi)吸(xi)附(fu)法(fa)來表(biao)征顆(ke)粒的比(bi)表(biao)面積。但是在實際(ji)的研(yan)發與(yu)生(sheng)產過(guo)程中(zhong)，研(yan)究(jiu)人(ren)員(yuan)發現就算氮氣(qi)吸(xi)附(fu)法(fa)表(biao)征的研(yan)磨(mo)顆粒的比(bi)表(biao)面積非(fei)常(chang)穩定(ding)，拋(pao)光(guang)過(guo)程中(zhong)還(hai)是會發生(sheng)拋光(guang)液(ye)性能(neng)不(bu)穩定(ding)的情況。而這種情(qing)況很(hen)可能是研(yan)磨(mo)顆粒在溶劑體(ti)系中(zhong)發生(sheng)了(le)團聚，進而發生(sheng)了(le)尺寸(cun)上的變化(hua)而導(dao)致(zhi)最(zui)終研(yan)磨(mo)性能的問題(ti)。低(di)場(chang)核(he)磁弛豫技術(shu)可直接用(yong)於(yu)研(yan)磨(mo)液(ye)原液(ye)的分(fen)散性檢測，可以(yi)快速評價(jia)懸(xuan)浮(fu)液(ye)體系的分(fen)散性而被廣泛(fan)應(ying)用於(yu)CMP拋光(guang)液(ye)的研(yan)發與(yu)生(sheng)產控(kong)制(zhi)中(zhong)。

低場(chang)核(he)磁弛豫技術(shu)還(hai)能(neng)用於(yu)哪(na)些(xie)領域(yu)？

低場(chang)核(he)磁弛豫技術(shu)除(chu)了(le)用於(yu)半(ban)導體(ti)CMP拋(pao)光(guang)液(ye)，還(hai)可以(yi)用(yong)於(yu)國家(jia)正(zheng)大(da)力(li)扶(fu)持(chi)的新能(neng)源電(dian)池(chi)漿(jiang)料，光(guang)伏產(chan)業的導電(dian)銀(yin)漿(jiang)，石墨烯(xi)漿(jiang)料，電(dian)子(zi)漿料等(deng)新材(cai)料領(ling)域。這些(xie)方(fang)向(xiang)都非(fei)常(chang)適(shi)合(he)采用低(di)場(chang)核(he)磁弛豫技術(shu)來研(yan)究(jiu)其(qi)原液(ye)的分(fen)散性、穩定(ding)性(xing)。

低場核(he)磁弛豫分(fen)析儀(yi)：