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          首頁(ye) > 技(ji)術與支持 > 低場核磁共振(zhen)技(ji)術用(yong)於(yu)溫度(du)升(sheng)高(gao)時(shi)活化(hua)能研(yan)究
          低場核磁共振(zhen)技(ji)術用(yong)於(yu)溫度(du)升(sheng)高(gao)時(shi)活化(hua)能研(yan)究
          點擊次(ci)數(shu):1631 更新(xin)時間(jian):2022-06-29

          低場核磁共振(zhen)技(ji)術用(yong)於(yu)溫度(du)升(sheng)高(gao)時(shi)活化(hua)能研(yan)究

          什(shen)麽(me)是活(huo)化(hua)能?

          活(huo)化(hua)能是指(zhi)分(fen)子從常(chang)態(tai)轉變(bian)為容易(yi)發生(sheng)化(hua)學反(fan)應(ying)的(de)活(huo)躍(yue)狀(zhuang)態(tai)所(suo)需(xu)要(yao)的(de)能量。對(dui)基(ji)元反(fan)應(ying),活(huo)化(hua)能即(ji)基元反(fan)應(ying)的(de)活(huo)化(hua)能。對(dui)復(fu)雜的(de)非基(ji)元反(fan)應(ying),反(fan)應(ying)活(huo)化(hua)能是總(zong)包(bao)反(fan)應(ying)的(de)的(de)表(biao)觀活(huo)化(hua)能,即(ji)各(ge)基元反(fan)應(ying)活(huo)化(hua)能的(de)代數(shu)和。

          低場核磁在(zai)多(duo)孔材(cai)料(liao)活化(hua)能方(fang)面的應(ying)用(yong)

          低場核磁共振(zhen)弛豫(yu)時間(jian)被(bei)證(zheng)明(ming)是飽和(he)液(ye)體的(de)多(duo)孔材(cai)料(liao)中吸(xi)附質(zhi)-吸附(fu)劑相互(hu)作(zuo)用(yong)的(de)*探(tan)針(zhen)。縱向(xiang)和橫(heng)向(xiang)弛豫(yu)時間(jian)之(zhi)比(bi)(T1/T2)與(yu)吸(xi)附(fu)質(zhi)-吸附(fu)劑相互(hu)作(zuo)用(yong)能(neng)(活化(hua)能)有(you)關,可以引入(ru)壹(yi)個(ge)基(ji)於(yu)弛豫(yu)時間(jian)之(zhi)比(bi)的(de)定(ding)量度量(ES)來表(biao)征(zheng)這種(zhong)表面相互(hu)作(zuo)用(yong)的(de)強(qiang)度(活(huo)化(hua)能)。

          低場核磁共振(zhen)技(ji)術用(yong)於(yu)溫度(du)升(sheng)高(gao)時(shi)活化(hua)能研(yan)究

          多(duo)孔介(jie)質(zhi)中液(ye)體的(de)表(biao)面相互(hu)作(zuo)用(yong)非常(chang)重要(yao),特別(bie)是在(zai)多(duo)相催化(hua)領域,理(li)解表面相互(hu)作(zuo)用(yong)的(de)能力對(dui)於(yu)高(gao)效(xiao)合(he)理(li)的(de)催化(hua)劑設(she)計(ji)至關(guan)重要(yao)。探(tan)測液(ye)體飽和(he)多(duo)孔介(jie)質(zhi)中的(de)液(ye)體-表(biao)面相互(hu)作(zuo)用(yong)尤(you)其具(ju)有(you)挑戰(zhan)性。現有方法都有(you)局限性,並(bing)且(qie)沒有壹(yi)個(ge)能(neng)夠在(zai)實(shi)際反(fan)應(ying)條(tiao)件下(xia)無(wu)損(sun)地(di)探(tan)測催化(hua)劑表(biao)面分子的行為(wei)。

          使(shi)用(yong)低場核磁共振(zhen)弛豫(yu)測量的優(you)點

          相比(bi)高(gao)場核磁,弛豫(yu)測量對(dui)吸(xi)附(fu)相互(hu)作(zuo)用(yong)的(de)表征(zheng)不(bu)依(yi)賴於(yu)NMR線型和“峰位"(與(yu)多(duo)孔介(jie)質(zhi)中的(de)液(ye)體或化(hua)學位移(yi)相關(guan)的(de)實際峰位,可(ke)能(neng)受吸附質(zhi)-吸附(fu)劑相互(hu)作(zuo)用(yong)以(yi)外的因(yin)素(su)影響)。

          自旋(xuan)晶(jing)格與自旋(xuan)-自旋(xuan)弛豫(yu)時間(jian)之(zhi)比(bi)(T1/T2)可(ke)直(zhi)接(jie)與脫附(fu)活化(hua)能有(you)關,脫附(fu)活化(hua)能表(biao)征(zheng)了吸(xi)附劑表面上*的(de)吸附位點(dian),可(ke)以由程序(xu)升(sheng)溫脫附(fu)(TPD)方法確(que)定。

          低場核磁共振(zhen)技(ji)術用(yong)於(yu)溫度(du)升(sheng)高(gao)時(shi)活化(hua)能研(yan)究

          低場核磁共振(zhen)技(ji)術用(yong)於(yu)溫度(du)升(sheng)高(gao)時(shi)活化(hua)能研(yan)究基本原理(li):

          溫度升(sheng)高(gao)時(shi)活化(hua)能會(hui)發生(sheng)變化(hua)。核磁共振(zhen)弛豫(yu)技術(shu)已成為研(yan)究(jiu)飽和(he)多(duo)孔介(jie)質(zhi)中液(ye)體表(biao)面相互(hu)作(zuo)用(yong)的(de)壹(yi)種非侵入(ru)性、化(hua)學敏(min)感(gan)的(de)分(fen)析技術。由於(yu)分子運(yun)動(dong)性的(de)變化(hua),當液(ye)體分(fen)子吸附在(zai)固體表(biao)面時,檢測到(dao)的(de)T1和T2弛豫(yu)時間(jian)都會(hui)縮短(duan);在(zai)自由液(ye)體中(zhong),T1約等於(yu)T2。T1和T2都(dou)受(shou)到被(bei)吸附(fu)分(fen)子(表面水分(fen)子)旋(xuan)轉相關(guan)時(shi)間變化(hua)的影響。然而(er),T2進(jin)壹(yi)步(bu)受(shou)到(dao)與表面擴(kuo)散相關(guan)的(de)平移(yi)相關(guan)時(shi)間的影響。因(yin)此(ci),當分(fen)子吸附在(zai)表(biao)面上時(shi),其平移(yi)和(he)旋(xuan)轉動(dong)力(li)學的變化(hua)對(dui)T2的(de)影響大(da)於(yu)T1,導致(zhi)T1>T2。

          低場核磁共振(zhen)技(ji)術用(yong)於(yu)溫度(du)升(sheng)高(gao)時(shi)活化(hua)能研(yan)究

          T1/T2值表明了同(tong)壹(yi)催化(hua)劑中(zhong)不(bu)同(tong)液(ye)體表(biao)面相互(hu)作(zuo)用(yong)的(de)相對(dui)強(qiang)度。T1/T2比(bi)率(lv)可(ke)以用(yong)作(zuo)表面親(qin)和(he)力的(de)定性描(miao)述,並(bing)可(ke)以進(jin)壹(yi)步(bu)反(fan)映出溫(wen)度升(sheng)高(gao)時(shi)活化(hua)能的(de)變化(hua)。

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