低場核(he)磁t2反(fan)演壹個(ge)樣需(xu)要(yao)多久(jiu)

無論(lun)是(shi)低場核(he)磁縱向(xiang)弛豫還是(shi)低場核(he)磁橫(heng)向弛豫，對(dui)於決大多數樣品(pin)來說(shuo)，低場核(he)磁弛豫信(xin)號(hao)都可以(yi)用多指數函(han)數來表達。通常(chang)情況下，分(fen)別利用(yong)CPMG實驗和IR實驗來檢測(ce)樣品(pin)的(de)橫(heng)向弛豫過(guo)程和縱向(xiang)弛豫過(guo)程，低場核(he)磁弛豫信(xin)號(hao)的(de)數學(xue)表達式如(ru)公式(1)和公式(2)所示(shi)：

其中(zhong)fi表示(shi)樣品(pin)中第i種(zhong)成(cheng)分(fen)的(de)信號(hao)強度，總(zong)信(xin)號(hao)的(de)大小是(shi)所有成(cheng)分(fen)產(chan)生(sheng)信(xin)號(hao)大小的(de)總(zong)和，T2i和T1i表示(shi)樣品(pin)中第i種(zhong)成(cheng)分(fen)的(de)橫(heng)向弛豫時(shi)間(jian)和縱向(xiang)弛豫時(shi)間(jian)。

低場核(he)磁反(fan)演技(ji)術：

弛豫信(xin)號(hao)反演的(de)目標(biao)是(shi)通過(guo)上面(mian)的(de)公式(1)、公式(2)來計(ji)算(suan)樣品(pin)中的(de)每個值(zhi)(或者(zhe)稱(cheng)為(wei)樣品(pin)中質子分(fen)布(bu)的(de)密度(du)函數，也(ye)稱(cheng)為(wei)T1分(fen)布(bu)或T2分(fen)布(bu))。下面(mian)采用矩陣(zhen)的(de)形式重新(xin)改(gai)寫上述(shu)數學(xue)表達式：

Y=A * F

低場核(he)磁t2反(fan)演壹個(ge)樣需(xu)要(yao)多久(jiu)

以多(duo)組(zu)分T2反(fan)演為(wei)例，如(ru)下圖(tu)，左邊(bian)是(shi)回波串(chuan)，右(you)邊(bian)是(shi)反(fan)演結果(guo)（T2分布(bu)）。下式(shi)表示(shi)每(mei)壹個(ge)回波的(de)等(deng)式系統。壹般(ban)物(wu)質(zhi)的(de)T2分布是(shi)壹個(ge)連續(xu)函(han)數，但(dan)是(shi)為(wei)簡(jian)化(hua)反演，計(ji)算(suan)使(shi)用(yong)壹個(ge)多(duo)指數模型，並假定(ding)T2分(fen)布(bu)包(bao)含有m個獨立的(de)弛豫時(shi)間(jian)T2i，對(dui)應(ying)的(de)幅值(zhi)分(fen)量(liang)為(wei)fi。T2i的(de)值(zhi)是(shi)預(yu)先(xian)選定(ding)的(de)（如(ru)0.5ms，1ms，2ms，4ms，8ms，16ms，32ms，64ms，128ms，256ms，512ms，…）。反演的(de)過(guo)程主要(yao)是(shi)確(que)定(ding)分(fen)量(liang)。T2反演的(de)時間(jian)與(yu)設置(zhi)的(de)反演參數密切(qie)相(xiang)關，具體(ti)需(xu)要(yao)根據(ju)時(shi)間(jian)情況確定(ding)。數據(ju)點多，叠(die)代次數大(da)，反演時間(jian)就(jiu)長(chang)。

低場核(he)磁反(fan)演技(ji)術（T2分(fen)布(bu)）

定(ding)組(zu)分反(fan)演和二(er)維(wei)反(fan)演在(zai)原理(li)上和多(duo)組(zu)分反(fan)演都是(shi)壹致(zhi)的(de)，是(shi)壹個(ge)設置(zhi)模型不斷(duan)尋(xun)優(you)的(de)過(guo)程。不同(tong)的(de)方法間(jian)，模型函數和尋(xun)優(you)方法會(hui)有稍(shao)許不同(tong)。