接(jie)枝率(lv)測定方(fang)法-低場核(he)磁(ci)技術(shu)

納(na)米(mi)顆粒表(biao)面(mian)改(gai)性之(zhi)接(jie)枝率(lv)測定方(fang)法

納(na)米(mi)級二氧(yang)化(hua)矽作為典型的納(na)米(mi)顆粒材(cai)料具(ju)有分散(san)性好，比表(biao)面(mian)積大，親(qin)水性(xing)、力學補強(qiang)性、增(zeng)稠(chou)性(xing)及防(fang)粘(zhan)結(jie)性等(deng)特(te)性(xing)，廣(guang)泛(fan)應(ying)用(yong)於電(dian)子封裝(zhuang)材(cai)料、高(gao)分(fen)子復合材(cai)料(liao)、塑料、塗(tu)料(liao)、橡(xiang)膠、顏料(liao)、 陶(tao)瓷(ci)、膠黏劑、玻(bo)璃(li)鋼(gang)、藥(yao)物載體(ti)、化(hua)妝(zhuang)品(pin)及抗菌(jun)材(cai)料、油(you)墨(mo)等領(ling)域(yu)；

接(jie)枝率(lv)測定方(fang)法評價(jia)SiO2納(na)米(mi)材料表(biao)面(mian)改(gai)性

二(er)氧化(hua)矽納(na)米(mi)顆粒表(biao)面(mian)存在(zai)大(da)量的不同(tong)狀(zhuang)態(tai)的羥基不飽和(he)殘(can)鍵(jian)，親(qin)水疏(shu)油(you)，易(yi)於(yu)團(tuan)聚(ju)，必(bi)須(xu)要(yao)對其(qi)進(jin)行(xing)功(gong)能化(hua)改(gai)性，以提(ti)高(gao)性(xing)能及應用(yong)範(fan)圍。

二氧化(hua)矽表(biao)面(mian)改(gai)性的(de)目的(de)主要有以下3個方(fang)面(mian)：

壹(yi)是改(gai)善或提(ti)高(gao)二(er)氧化(hua)矽納(na)米(mi)顆粒在(zai)介(jie)質(zhi)中(zhong)的(de)分散(san)性及相容性(xing)。因(yin)為表面(mian)修(xiu)飾(shi)後的(de)納(na)米(mi)顆粒可(ke)以減(jian)弱(ruo)表面(mian)活(huo)性(xing)羥基的(de)帶(dai)電效(xiao)應(ying)和表面(mian)的(de)親(qin)水性(xing)，所(suo)以可(ke)以有效(xiao)防(fang)止顆粒團(tuan)聚(ju)；

二(er)是通過表面(mian)修(xiu)飾(shi)，在二(er)氧(yang)化(hua)矽表(biao)面(mian)接(jie)枝活(huo)性基(ji)團(tuan)，提(ti)高(gao)或者控制(zhi)其(qi)表(biao)面(mian)活(huo)性(xing)，從而(er)為納(na)米(mi)粒子的進(jin)壹(yi)步接(jie)枝或者功(gong)能化(hua)提(ti)供了(le)可(ke)能性(xing)；

三(san)是拓(tuo)寬(kuan)二(er)氧化(hua)矽納(na)米(mi)顆粒的(de)應用範(fan)圍，表(biao)面(mian)修(xiu)飾(shi)後的(de)納(na)米(mi)顆粒可(ke)以產生新(xin)的(de)功(gong)能，如(ru)藥物運輸和釋放，刺(ci)激(ji)響應性等。

低(di)場核(he)磁(ci)技術(shu)接(jie)枝率(lv)測定方(fang)法：

LU等科(ke)學家采用多洛倫(lun)茲分(fen)裂(lie)算法將(jiang)遊(you)離(li)PEG的NMR信(xin)號與接(jie)枝的(de)NMR信(xin)號區(qu)分(fen)開，從而(er)可(ke)以使用1H-NMR對接(jie)枝過程進(jin)行原(yuan)位(wei)監測(ce)。低(di)場核(he)磁(ci)技術(shu)接(jie)枝率(lv)測定方(fang)法的優(you)點(dian)是不受(shou)接(jie)枝基(ji)團(tuan)末(mo)端(duan)官能團(tuan)類(lei)型、表面(mian)化(hua)學性質(zhi)、納(na)米(mi)粒子或組成的限(xian)制(zhi)，它還(hai)為相關科(ke)學研究(jiu)提(ti)供表(biao)征(zheng)納(na)米(mi)顆粒上(shang)基團(tuan)接(jie)枝密(mi)度的關鍵和(he)標(biao)準(zhun)指(zhi)南(nan)。

針對固(gu)體(ti)顆(ke)粒樣(yang)品(pin)，也可(ke)以使用固(gu)體(ti)核(he)磁(ci)技術(shu)通過化(hua)學位(wei)移氫(qing)譜(pu)對接(jie)枝率(lv)進行定量表征(zheng)，不過大家都知(zhi)道(dao)固(gu)體(ti)核(he)磁(ci)相對成本較(jiao)高(gao)，對使(shi)用(yong)者要求(qiu)較(jiao)高(gao)。

低(di)場核(he)磁(ci)技術(shu)接(jie)枝率(lv)測定方(fang)法的優(you)勢：

低場核(he)磁(ci)技術(shu)因為其(qi)設備成本較(jiao)低(di)，使(shi)用(yong)簡(jian)單，適用於(yu)宏觀(guan)樣(yang)品(pin)等特(te)性(xing)，非常(chang)適用(yong)於快(kuai)速測定(ding)顆粒表(biao)面(mian)接(jie)枝率(lv)測定。它通過MSE系(xi)列序列實(shi)現(xian)死時間內(nei)的1H核(he)磁(ci)信(xin)號采集(ji)，zui大程(cheng)度的采(cai)集(ji)到了(le)接(jie)枝在(zai)顆粒表(biao)面(mian)的(de)基(ji)團(tuan)中(zhong)H原(yuan)子核(he)的(de)信(xin)號，利用(yong)外標(biao)法進行(xing)定(ding)量分析(xi)。

低場核(he)磁(ci)